[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

一种半导体装置的制造方法，具有在由具有宽带隙的结晶构成的半导体基板的第一主面上形成半导体层的工序；在与半导体基板的第一主面相反的第二主面侧生成晶格缺陷的工序；在生成晶格缺陷的工序之后，将相比于作为上述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的波长的激光照射到半导体基板的下表面的工序；以及在照射工序之后，在上述半导体基板的第二主面形成电极的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在碳化硅结晶所构成的半导体基板的第一主面上形成半导体层的工序；在与所述半导体基板的所述第一主面相反的第二主面侧生成晶格缺陷的工序；在所述生成晶格缺陷的工序之后，通过将波长比作为所述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的激光照射到所述半导体基板的所述第二主面，使硅从所述半导体基板中蒸发，从而在所述第二主面侧形成石墨烯导电层的工序；以及在所述照射工序之后，在所述半导体基板的所述第二主面形成电极的工序,其中，所述晶格缺陷为层积缺陷,所述生成晶格缺陷的工序是对所述半导体基板的所述第二主面进行局部地外加力的工序。