[发明专利]雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201380077525.9 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105637657B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 潘旭 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种雪崩光电二极管，包括P型接触层(11)、光吸收层(12)、组分渐变对称倍增层(13)和N型接触层(14)，其中，所述P型接触层(11)与所述光吸收层(12)相连，所述光吸收层(12)与所述组分渐变对称倍增层(13)相连，所述组分渐变对称倍增层(13)与所述N型接触层(14)相连；所述组分渐变对称倍增层(13)，用于放大所述电信号，所述组分渐变对称倍增层(13)呈中心对称结构，由多个渐变层组成。该技术方案通过多层渐变层抑制载流子的离化，降低过剩噪声因子的同时，组分渐变对称倍增层(13)的对称结构有效地缓解了大晶格失配体系应力，获得高质量外延薄膜，降低噪声性。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包括：P型接触层、光吸收层、组分渐变对称倍增层和N型接触层，其中，所述P型接触层与所述光吸收层相连，所述光吸收层与所述组分渐变对称倍增层相连，所述组分渐变对称倍增层与所述N型接触层相连；所述组分渐变对称倍增层，用于放大电信号，所述组分渐变对称倍增层呈中心对称结构，由多个渐变层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
