[发明专利]用引导过孔来接触紧密间距的导电层的方法和结构有效
申请号: | 201380078101.4 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN105378897B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | R·E·申克尔;E·N·谭 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/027 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种装置包括:电路衬底;第一互连层和第二互连层,所述第一互连层位于所述衬底上的第一平面内,所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面内;以及硬掩模层,所述硬掩模层将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开,其中,所述硬掩模层包括交替的引导段和过孔引导部,所述交替的引导段包括不同的硬掩模材料。一种方法包括:在集成电路结构上形成电介质层;在所述电介质层中形成具有互连线的第一互连层;在所述电介质层的表面上形成硬掩模层,所述硬掩模层包括交替的硬掩模材料,所述交替的硬掩模材料在所述互连线之上形成引导段;在所述引导段中的一个引导段内形成过孔引导部;以及在所述硬掩模引导层之上形成第二互连层,通过所述过孔引导部将所述第二互连层电连接到所述互连线的其中之一。 | ||
搜索关键词: | 引导 接触 紧密 间距 导电 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种电路装置,包括:电路衬底;在所述电路衬底上的电介质层;第一互连层和第二互连层,所述第一互连层具有在所述电介质层中的多条互连线且位于所述衬底上的第一平面中,所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面中,其中一部分所述电介质层将所述互连线与所述电路衬底分隔开;以及硬掩模层,所述硬掩模层位于所述第一互连层与所述第二互连层之间,并且将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开,其中,所述硬掩模层包括交替的引导段和过孔引导部,所述交替的引导段中的每个引导段包括不同的硬掩模材料,所述过孔引导部形成于所述交替的引导段中的至少一个引导段中并用金属对所述过孔引导部进行填充,用于将所述第一互连层与所述第二互连层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造