[发明专利]用引导过孔来接触紧密间距的导电层的方法和结构有效

专利信息
申请号: 201380078101.4 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN105378897B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: R·E·申克尔;E·N·谭 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/027
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种装置包括:电路衬底;第一互连层和第二互连层,所述第一互连层位于所述衬底上的第一平面内,所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面内;以及硬掩模层,所述硬掩模层将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开,其中,所述硬掩模层包括交替的引导段和过孔引导部,所述交替的引导段包括不同的硬掩模材料。一种方法包括:在集成电路结构上形成电介质层;在所述电介质层中形成具有互连线的第一互连层;在所述电介质层的表面上形成硬掩模层,所述硬掩模层包括交替的硬掩模材料,所述交替的硬掩模材料在所述互连线之上形成引导段;在所述引导段中的一个引导段内形成过孔引导部;以及在所述硬掩模引导层之上形成第二互连层,通过所述过孔引导部将所述第二互连层电连接到所述互连线的其中之一。
搜索关键词: 引导 接触 紧密 间距 导电 方法 结构
【主权项】:
1.一种电路装置,包括:电路衬底;在所述电路衬底上的电介质层;第一互连层和第二互连层,所述第一互连层具有在所述电介质层中的多条互连线且位于所述衬底上的第一平面中,所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面中,其中一部分所述电介质层将所述互连线与所述电路衬底分隔开;以及硬掩模层,所述硬掩模层位于所述第一互连层与所述第二互连层之间,并且将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开,其中,所述硬掩模层包括交替的引导段和过孔引导部,所述交替的引导段中的每个引导段包括不同的硬掩模材料,所述过孔引导部形成于所述交替的引导段中的至少一个引导段中并用金属对所述过孔引导部进行填充,用于将所述第一互连层与所述第二互连层电连接。
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