[发明专利]半导体装置

摘要

n‑型半导体衬底(1)具有有源区域和终端区域，该终端区域与有源区域相比配置在外侧。在有源区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面的一部分形成有p+型阳极层(2)。在终端区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面形成有多个p+型保护环层(3)。在n‑型半导体衬底(1)的下表面形成有n+型阴极层(5)。阳极电极(6)与p+型阳极层(2)连接。金属制的阴极电极(7)与n+型阴极层(5)连接。在终端区域，n+型阴极层(5)被挖除而形成凹部(8)。阴极电极(7)也形成在凹部(8)内。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底，其具有有源区域和终端区域，该终端区域与所述有源区域相比配置在外侧；p+型阳极层，其在所述有源区域形成于所述衬底的上表面的一部分；多个p+型保护环层，其在所述终端区域形成于所述衬底的上表面的一部分；n+型阴极层，其形成在所述衬底的下表面；阳极电极，其与所述p+型阳极层连接；以及金属制的阴极电极，其与所述n+型阴极层连接，在所述终端区域，所述n+型阴极层被挖除而形成凹部，所述阴极电极也形成在所述凹部内，在俯视观察时仅在所述衬底的角部分形成有所述凹部。