[发明专利]薄膜制造方法有效
| 申请号： | 201380078931.7 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105474361A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 朴绍延;权永秀 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制造方法，该方法包括：配置基板的步骤；准备原料物质的步骤，所述原料物质包括以SiH2为基本结构，在所述基本结构的两侧线性结合包含碳、氧及氮中至少一个的官能团所构成的化合物；将所述原料物质气化，向腔室内装载所述基板的步骤；以及向所述腔室内供给被气化的所述原料物质的步骤。并且，本发明在多种工艺条件下，可以沉积出高品质的薄膜。在宽范围的工艺温度、工艺压力等条件下，可以制造薄膜，且可以使用各种薄膜制造方式及设备。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜制造方法，包括：配置基板的步骤；准备原料物质的步骤；将所述原料物质气化，向腔室内装载所述基板的步骤；以及向所述腔室内供给被气化的所述原料物质的步骤，其中，所述原料物质是包含以下至少一个化学式的前驱体，![]()
在此，R为官能团。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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