[发明专利]形成埋入式垂直电容器的方法和由此形成的结构在审
| 申请号： | 201380079118.1 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105493238A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | R·加斯卡兰;K·俊;P·莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了在器件层下方形成无源元件的方法。那些方法和结构可以包括在基板中形成至少一个无源结构，例如电容器和电阻器结构，其中所述无源结构垂直设置于所述基板之内。在所述无源结构的顶表面上形成绝缘体层，在所述绝缘体层上形成器件层，并且形成接触部以将设置在所述器件层中的器件耦合到所述至少一个无源结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 埋入 垂直 电容器 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种形成结构的方法，包括：在基板中形成至少一个开口，其中，所述基板不包括晶体管；在所述开口中形成导电材料；在所述导电材料上形成绝缘体材料；在所述绝缘体材料上形成器件层；以及通过所述绝缘体材料形成接触部以将所述导电材料连接到设置在所述器件层中的器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380079118.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
