[发明专利]通过组合选择性外延和共形外延的用于CMOS的图案化硅衬底上的非硅器件异质层

摘要

在于浅沟槽隔离(STI)区之间形成的沟槽中的一个或一对的底部处从衬底表面外延地生长单个鳍状物或一对共集成的n-型和p-型单晶电子器件鳍状物。对一个或多个鳍状物进行图案化并对STI区进行蚀刻，以形成在STI区的经蚀刻的顶部表面之上延伸的一个或多个鳍状物的高度。鳍状物高度可以是鳍状物宽度的至少1.5倍。以一种或多种共形外延材料外延地包覆每一个鳍状物的暴露的侧壁表面和顶部表面，以在鳍状物上形成器件层。在生长鳍状物之前，可以从衬底表面生长均厚缓冲外延材料；并且在于均厚层之上形成的STI沟槽中生成鳍状物。这种鳍状物的形成降低了来自材料界面晶格失配的缺陷。

主权项

一种形成电子器件鳍状物的方法，包括：在形成于多个浅沟槽隔离(STI)区之间的沟槽的底部处从衬底表面外延地生长由鳍状物外延材料构成的鳍状物层，所述多个浅沟槽隔离(STI)区具有界定所述沟槽的第一宽度和第一高度的STI侧壁；对所述鳍状物层的顶部表面进行图案化并对所述多个STI区进行蚀刻，以从在所述多个STI区的经蚀刻的顶部表面之上延伸的所述鳍状物层的高度形成电子器件鳍状物；以及在所述电子器件鳍状物的侧壁表面和顶部表面上外延地包覆第一共形厚度的第一共形外延材料。