[发明专利]非易失性存储器中的错误校正有效

专利信息
申请号: 201380079212.7 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN105706059B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: Z·S·关;R·H·莫特瓦尼;K·潘加尔;P·S·丹勒 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F12/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;付曼
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了存储器中用于错误校正的装置、系统和方法。在一个实施例中,存储器控制器包括逻辑以接收对存储在存储器中的数据的读取请求,检索该数据以及至少一个相关的错误校正码字,其中该数据以及相关的错误校正码字跨存储器中的多个存储装置分布,应用第一错误校正例程解码通过该数据检索的错误校正码字并响应于错误校正码字中的不可校正的错误,对存储器中的该多个设备应用第二错误校正例程。还公开并要求保护其他实施例。
搜索关键词: 非易失性存储器 中的 错误 校正
【主权项】:
1.一种存储器控制器,包括逻辑以:接收对存储器中存储的数据的读取请求;检索所述数据和相关的错误校正码字,其中所述数据和至少一个相关的错误校正码字跨存储器中的多个存储设备分布;应用第一错误校正例程以解码使用所述数据检索的所述错误校正码字;以及响应于所述错误校正码字中的不可校正的错误,对存储器中的所述多个存储设备应用第二错误校正例程。
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