[发明专利]在包覆的III-V族沟道材料中实现高迁移率的方法在审
| 申请号： | 201380079215.0 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105900243A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·S·周;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;B·舒-金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种设备，其包括：布置在衬底上并且限定了沟道区域的异质结构，异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料，以及具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；以及在沟道区域上的栅极叠置体，其中第二材料布置在第一材料和栅极叠置体之间。提供了一种方法，其包括：在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；以及在第二材料上形成栅极叠置体。 | ||
| 搜索关键词： | iii 沟道 材料 实现 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：异质结构，所述异质结构布置在衬底上并且限定了沟道区域，所述异质结构包括第一材料和第二材料，所述第一材料的第一带隙小于所述衬底的材料的带隙，并且所述第二材料的第二带隙大于所述第一带隙；以及位于所述沟道区域上的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括电介质材料以及位于所述电介质材料上的栅极电极，其中所述第二材料布置在第一III‑V族材料与所述栅极叠置体之间。
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