[发明专利]利用垂直馈穿部进行的晶片级气密包装方法

摘要

一种用于MEMS结构的晶片级包装方法，希望将该MEMS结构封装在气密空腔中，并且该MEMS结构需要将至少单个或多个电引线转移到空腔外部，并且不损坏空腔的气密性。引线转移是利用垂直馈穿部实现的，在生产封装空腔的同一制造步骤中在封帽基板上对该垂直馈穿部进行构图。此外，垂直馈穿部和到达这些馈穿部的过孔的结构被以如下方式布置，即传统焊线结合将足以将垂直馈穿部连接至外界，而无需在过孔内重填导体。该方法与使用各种密封材料如薄膜金属和合金的基于低温热压缩的结合/密封过程兼容，并且还与硅玻璃阳极或硅‑硅共熔结合过程兼容。

主权项

一种用于MEMS部件(4)的晶片级气密包装的方法，该方法包括：·提供第一基板(2；50)，该第一基板具有MEMS部件(4)、所述MEMS部件(4)的导电引线(6；46)、将所述MEMS部件(4)的一些部分保持为距所述基板的表面处于预定偏移的锚固件(10)以及完全包围所述MEMS部件(4)和所述导电引线(6；46)的密封区域(12)；·提供第二基板(16)，该第二基板(16)是包括第一硅层(18)、第二硅层(22)和夹在所述第一硅层(18)和所述第二硅层(22)之间的埋设氧化物层(20)的SOI基板；·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而通过对所述第二硅层(22)进行掩模贯穿蚀刻直至到达所述埋设氧化物层(20)而形成一个或多个过孔(24)；·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而对所述埋设氧化物层(20)的经由所述过孔(24)暴露的部分进行完全蚀刻；·接着，对所述第二基板(16)进行微加工，从而通过对所述第一硅层(18)进行贯穿蚀刻直至到达所述埋设氧化物层(20)而同时形成密封壁(26)、空腔(30)和多个垂直馈穿部(28)；对所述第二基板(16)进行微加工，从而在所述垂直馈穿部(28)的暴露于先前形成的过孔(24)的表面上形成金属焊盘(38)；·将所述第一基板(2；50)的所述密封区域(12)结合至所述第二基板(16)的所述密封壁(26)，使得所述第一基板(2)上的所述MEMS部件(4)被封装在由所述第二基板(16)的所述空腔(30)和所述第一基板(2)限定的封闭容积中，并且同时将所述第一基板(2)的所述导电引线(6；46)结合至所述第二基板(16)的对应垂直馈穿部(28)。