[发明专利]太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块有效
申请号: | 201380080519.9 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN105684158B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 田村宣裕;幸畑隼人;浜笃郎 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 金光华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b),该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸,是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域,并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状,该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素,在多个第一n型杂质扩散层(3a)中,随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置,各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 模块 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,具备:第一导电类型的半导体基板,在作为受光面侧的一面侧具有被扩散了第二导电类型的杂质元素的杂质扩散层;多条受光面侧电极,是通过电极材料膏的印刷而形成于所述一面侧并与所述杂质扩散层电连接的膏电极,并且该多条受光面侧电极在所述半导体基板的面方向上平行地延伸而具有线状形状;以及背面侧电极,形成于所述半导体基板的另一面侧,所述杂质扩散层具有多个第一杂质扩散层和第二杂质扩散层,该多个第一杂质扩散层在所述半导体基板的面方向上平行地延伸而位于所述受光面侧电极的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域,并且该多个第一杂质扩散层以第一浓度包含所述杂质元素并具有线状形状,该第二杂质扩散层以比所述第一浓度低的第二浓度包含所述杂质元素,在所述多个第一杂质扩散层中,随着在所述第一杂质扩散层的宽度方向上接近定位基准点,各个所述第一杂质扩散层的宽度变细。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的