[发明专利]一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

主权项

一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：a、非晶碳石墨层的制备采用纯碳靶，使用直流磁控溅射方法在单晶金刚石薄膜上溅射非晶碳石墨，系统的本底真空2×10^‑4到5×10^‑4Pa；溅射的工作气体是Ar气体, Ar的流量为10到15标准毫升/分；总气压在0.3‑0.8Pa；溅射功率一般为90‑120W；溅射时间为5‑15分钟；非晶碳石墨层厚度为5‑30nm；b、金属Pt和Au的制备采用Pt靶，通过离子溅射法在非晶碳石墨层上制备金属层Pt；溅射过程中，工作气压为0.75‑0.85Pa，离子流1.8‑2mA，溅射时间为12‑15分钟，Pt层厚度40‑60nm；溅射完成后，再采用Au靶，通过相同的工艺参数在Pt层上面溅射Au，Au层的厚度为120‑160nm；c、退火采用传统的退火工艺，将制作好的电极在氮气氛下退火；退火温度为350‑450℃，时间为10‑20分钟；最终制得金刚石薄膜上的C‑Pt‑Au三层欧姆电极。