[发明专利]一种LED芯片制造的方法

摘要

本发明提供一种LED芯片制造的方法，包括以下步骤：1）在衬底上形成外延层，在外延层上制作第一掩膜层，在第一掩膜层的保护下进行图形刻蚀，2）在刻蚀后清洗干净的外延结构上制作第二掩膜层，并在第二掩膜层上涂保护液；从外延层一侧划片，3）使用去光阻液等化学药液将保护液去除；使用PlasmaO₂清洗机将外延结构进行清洗，进行酸溶液超声，浸泡高温硫酸与双氧水混合液；浸泡硫酸、磷酸混合液，4）去除第二掩膜层，在P层上生长透明导电层，在P层透明导电层上形成P电极，在N层上形成N电极。本发明用Plasma清洗、超声、浸泡酸混合液清洗技术，有效的解决了小尺寸管芯背划技术难点、中大功率背镀划片技术难点，提高LED芯片的制备品位和发光亮度。

主权项

一种LED芯片制造的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）在衬底上形成外延层，在外延层上制作第一掩膜层，在第一掩膜层的保护下进行图形刻蚀，在外延层上形成LED芯片PN结构，刻蚀完成后将第一掩膜层去除干净，刻蚀深度由外延层决定，芯片间距为10μm‑40μm；2）在刻蚀后清洗干净的外延结构上制作第二掩膜层，并在第二掩膜层上涂保护液；采用激光划片技术，从外延层一侧划片，形成“V”字形划片槽，所述划片槽在刻蚀图形内，且划片槽宽度小于两LED芯片间距；划片槽宽度为5μm‑20μm，深度为10μm‑100μm；3）使用去光阻液等化学药液将保护液去除；使用Plasma O₂清洗机将外延结构进行清洗，Plasma清洗时间为5min‑30min；进行酸溶液超声，超声时间为30min‑90min；浸泡高温硫酸与双氧水混合液；浸泡时间为30min‑90min；浸泡硫酸、磷酸混合液，混合液浸泡时间为30min‑90min；4）去除第二掩膜层，在外延层沉积并制作CB‑SiO₂层，蒸镀ITO并制作透明导电层，在所述的外延P层透明导电层上形成P电极，在所述外延N层上形成N电极。