[发明专利]一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其中铜铟铝硒薄膜的组成式为：CuIn1‑xAlxSe2，0≤x≤1，包括步骤：(1)依次使用丙酮、乙醇和去离子水对玻璃衬底进行超声清洗，清洗后置于去离子水中保存；(2)使用磁控溅射方法依次在玻璃衬底上沉积铜铟合金层、铝层、铜层，得到层状的金属薄膜前驱体；(3)将层状的金属薄膜前驱体和硒粉置于石墨盒中，进行后硒化处理，得到能带可调的铜铟铝硒薄膜。本发明通过控制溅射铜铟合金靶和铝靶的时间固定，而改变溅射铜靶的时间，从而获得不同组分比的铜铟铝硒薄膜，实现铜铟铝硒薄膜材料能带的调节。本发明方法简单方便，可实现铜铟铝硒薄膜的能带在微小范围内实现调节。

主权项

一种能带可调的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜铟铝硒薄膜为CuIn1‑xAlxSe2，其中，0≤x≤1，包括如下步骤：(1)清洗玻璃衬底：依次使用丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗，清洗后置于去离子水中保存；(2)使用磁控溅射方法依次在玻璃衬底上沉积铜铟合金层、铝层、铜层，得到层状的金属薄膜前驱体；(3)将所述层状的金属薄膜前驱体和硒粉置于石墨盒中，进行后硒化处理，得到所述能带可调的铜铟铝硒薄膜，其中，所述步骤(2)中，在玻璃衬底上依次沉积时，将金属铝层置于中间层，将金属铜层置于最顶层，通过调节溅射沉积铜层的时间，从而实现微调所述铜铟铝硒薄膜的组分比；所述步骤(3)中，所述后硒化处理的最高温度为530℃，在后硒化升温至530℃的过程中，在250℃时保温10min，在530℃时保温15～20min；所述铜铟铝硒薄膜中的各组分的摩尔比约为Cu:In:Al:Se≈1:0.8:0.2:2。