[发明专利]一种互补型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410003695.9 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103730572A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈心满 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 周端仪 |
| 地址： | 510631 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型阻变存储器，包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的非晶ZnO薄膜介质层；设于非晶ZnO薄膜介质层上表面的非晶MgZnO薄膜介质层；设于非晶MgZnO薄膜介质层上表面的TiN电极。通过本发明不仅可解决ZnO阻变器件十字交叉阵列的串扰问题，同时ZnO简单的成分和晶体结构、丰富的来源、低廉的价格将降低器件的制作工艺和成本，推进十字交叉阻变存储器阵列的实际应用具有非常重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种互补型阻变存储器，其特征在于，包括：底层导电电极；设于底层导电电极上表面的非晶ZnO薄膜介质层；设于非晶ZnO薄膜介质层上表面的非晶MgZnO薄膜介质层；设于非晶MgZnO薄膜介质层上表面的TiN电极。
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