[发明专利]中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法

摘要

一种中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法，先进行光箔预处理，然后进行阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔，再进行二次纯化学侵蚀扩孔，所述阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔是在盐酸、硫酸和添加剂A的混合溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流，混合溶液含有重量百分为25～35%的硫酸，1.25～4.25%的盐酸，以及0.50～1.25‰的添加剂A，混合溶液的温度为65～78℃；所述二次纯化学侵蚀扩孔是在含有添加剂B的盐酸溶液中进行，盐酸的质量百分比为2.5～7.5%，混合溶液中添加剂质量百分比为0.05～2.5，溶液温度为70～90℃，侵蚀时间13～25分钟。本发明具有工艺、设备简单，生产制造成本低，制备的铝箔具有较高的比电容，机械强度好等多方面的优点。

主权项

一种中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法，包括如下步骤：先进行光箔预处理，然后进行阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔，再进行二次纯化学侵蚀扩孔，其特征在于，所述阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔是在盐酸、硫酸和添加剂A的混合溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流，混合溶液含有重量百分为25～35%的硫酸，1.25～4.25%的盐酸，以及0.50～1.25‰的添加剂A，混合溶液的温度为65～78℃；所述二次纯化学侵蚀扩孔是在含有添加剂B的盐酸溶液中进行，盐酸的质量百分比为2.5～7.5%，混合溶液中添加剂质量百分比为0.05～2.5，溶液温度为70～90℃，侵蚀时间13～25分钟，所述添加剂A为硫脲、草酸或吡啶添加剂中的一种或二种，所述添加剂B为磷酸、硫脲、十二磺基磺酸钠或吡啶添加剂中的一种或二种。