[发明专利]一种中高压电子铝箔表面电沉积弥散锌晶核的方法有效

专利信息
申请号: 201410004941.2 申请日: 2014-01-06
公开(公告)号: CN103774193A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 何业东;彭宁;梁力勃;宋洪洲;杨小飞;蔡小宇;熊传勇 申请(专利权)人: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
主分类号: C25D7/06 分类号: C25D7/06;C25D5/44;C25D3/22
代理公司: 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 代理人: 黄永校
地址: 542899 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 一种中高压电子铝箔表面电沉积弥散锌晶核的方法,包括如下步骤:将经过均匀化退火处理后,形成{100}织构占有率大于95%的,表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素,纯度为99.99%的中高压高纯铝箔,进行预处理除去表面的氧化膜,同时形成新的含水膜,然后在电解液中采用快速电化学沉积,在铝箔表面沉积出弥散的锌晶核。采用本发明的表面沉积了弥散锌晶核的中高压电子铝箔,在电解腐蚀时锌晶核可以有效引导铝箔的腐蚀发孔,提高隧道孔分布的均匀性,降低铝箔的自腐蚀减薄,因而可以显著提高铝箔的比电容和抗折弯性能。
搜索关键词: 一种 高压 电子 铝箔 表面 沉积 弥散 晶核 方法
【主权项】:
一种中高压电子铝箔表面电沉积弥散锌晶核的方法,其特征是,包括如下步骤:将经过均匀化退火处理后,形成{100}织构占有率大于95%的,表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素,纯度为99.99%的中高压高纯铝箔,在高纯水、或碱溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中进行预处理,或磷酸‑硫酸混合溶液中进行电化学抛光预处理,以除去表面的氧化膜,同时在铝箔表面形成新的含水膜;然后在沉积锌晶核的电解液中采用快速电化学沉积锌晶核技术,在铝箔表面沉积出弥散的锌晶核。
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