[发明专利]一种硅通孔的化学机械抛光方法及系统在审
| 申请号： | 201410004990.6 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104759977A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅通孔的化学机械抛光方法，包括：利用加热后的抛光液进行硅通孔的金属层的化学机械抛光。本发明对化学机械抛光中用到的抛光液进行加热，来提高抛光液对硅通孔的金属层表面的氧化能力，进而提高对金属层的去除速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 化学 机械抛光 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的化学机械抛光方法，其特征在于，包括：利用加热后的抛光液进行硅通孔的金属层的化学机械抛光。
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