[发明专利]一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法有效
| 申请号： | 201410005319.3 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103730348A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;刘果果;孔欣;樊杰;黄森;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。利用本发明，降低了背孔工艺中金属掩膜对等离子体刻蚀机腔体内壁的污染，提高了等离子体刻蚀机的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 工艺 等离子体 刻蚀 机腔体 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；步骤2：在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；步骤3：对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；步骤4：利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；步骤5：在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；步骤6：在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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