[发明专利]一种石墨烯基碲镉汞复合薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种石墨烯基碲镉汞复合薄膜材料及其制备方法，包括衬底层，衬底层上有单层或多层石墨烯层，石墨烯层上面沉积有碲镉汞薄膜层，Hg_1-xCd_xTe,，0.2≤x≤0.3。采用化学气相沉积（CVD）方法在铜箔上制备单层石墨烯薄膜，采用湿法转移石墨烯层至所需衬底层上，利用激光分子束外延生长（LMBE）方法在石墨烯层上沉积制备碲镉汞薄膜。本发明材料衬底选择多样化且衬底的改变不会引起碲镉汞膜层性质的改变；具有良高的透明性、更好的电学性能和更低的噪声影响；石墨烯层数可控，可更好地控制调节，其透光性、导电性、噪声、响应。

主权项

一种石墨烯基碲镉汞复合薄膜材料，其特征是，包括衬底层，衬底层上有单层或多层石墨烯层，石墨烯层上面沉积有碲镉汞薄膜层，Hg_1‑xCd_xTe,，0.2≤x≤0.3。