[发明专利]空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法有效
申请号: | 201410005507.6 | 申请日: | 2014-01-03 |
公开(公告)号: | CN104767500B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 李国强;刘国荣 | 申请(专利权)人: | 佛山市艾佛光通科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H3/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 万志香;曾凤云 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法,属于声波谐振器技术领域。该制备方法包括:在制备衬底上生长该声波谐振器中的薄膜结构层;将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起,以该薄膜结构层的一面固定于支撑衬底上,在支撑衬底和该薄膜结构层之间形成空腔;将制备衬底与薄膜结构层剥离;该薄膜结构层包括有支撑层,或包括有支撑层和底电极,或包括有支撑层、底电极和压电膜,或包括有支撑层、底电极、压电膜和顶电极;形成依次层叠为支撑衬底、支撑层、底电极、压电膜和顶电极的结构。采用该方法制备得到的空腔型薄膜体声波谐振器,克服了常规工艺中在牺牲层去除的过程中对谐振结构产生不良影响的问题,使该谐振器具备更好的性能。 | ||
搜索关键词: | 空腔 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种空腔型薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在制备衬底上生长该声波谐振器中的薄膜结构层,待用;将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上,并以该薄膜结构层的一面固定于支撑衬底上,在支撑衬底和该薄膜结构层之间形成空腔;将制备衬底与其上生长的薄膜结构层剥离;该薄膜结构层包括有支撑层、底电极和压电膜,或包括有支撑层、底电极、压电膜和顶电极;所述薄膜结构层包括支撑层、底电极和压电膜,其制备包括:依次在制备衬底上沉积单晶的压电膜,在压电膜表面溅射底电极,在底电极上沉积支撑层,待用;以支撑层的一面将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上;将制备衬底和压电膜剥离,露出压电膜;在压电膜上溅射顶电极,并通过光刻、刻蚀的方式获得顶电极图形和压电膜图形;或者,所述薄膜结构层包括支撑层、底电极、压电膜和顶电极;依次在制备衬底上溅射顶电极,在顶电极上沉积压电膜,在压电膜表面溅射底电极,随后在底电极上沉积支撑层,待用;以支撑层的一面将制备衬底和其上生长的薄膜结构层一起固定于支撑衬底上;将制备衬底和顶电极剥离,露出顶电极;通过光刻、刻蚀的方式获得顶电极图形和压电膜图形;形成依次层叠为支撑衬底、支撑层、底电极、压电膜和顶电极的结构。
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