[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，只需两步光刻工艺以实现multi‑Vt技术，在ULV‑PMOS区域中形成有采用TDMAT源气体形成的覆盖层和采用TiCl4源气体形成的覆盖层，在PMOS区域中仅形成有采用TiCl4源气体形成的覆盖层，在ULV‑PMOS区域中的器件电压低于PMOS区域中的器件电压。在ULV‑NMOS区域中仅形成有采用TiCl4源气体形成的覆盖层，在NMOS区域中形成有采用TDMAT源气体形成的覆盖层和采用TiCl4源气体形成的覆盖层，ULV‑NMOS区域中的器件相比与NMOS区域中的器件具有较多的铝扩散的发生，这将减少ULV‑NMOS区域中的器件电压。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括：提供具有PMOS区域、ULV‑PMOS区域、ULV‑NMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，所述PMOS区域包括虚拟栅极，所述ULV‑PMOS区域包括虚拟栅极，ULV‑NMOS区域包括虚拟栅极和所述NMOS区域包括虚拟栅极；去除所述PMOS区域中的虚拟栅极、所述ULV‑PMOS区域中的虚拟栅极、ULV‑NMOS区域中的虚拟栅极和所述NMOS区域中的虚拟栅极，以在所述PMOS区域中形成第一沟槽，在所述ULV‑PMOS区域中形成第二沟槽，在所述ULV‑NMOS区域中形成第三沟槽，在所述NMOS区域中形成第四沟槽；在所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽和所述第四沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层和第一覆盖层；去除所述第一沟槽和所述第三沟槽中的所述第一覆盖层，以露出所述高K介电层；在所述半导体衬底上形成第二覆盖层，其中，所述第二覆盖层的铝扩散能力强于所述第一覆盖层的铝扩散能力；在所述第二覆盖层上依次形成阻挡层和P型功函数金属层；去除所述第三沟槽和所述第四沟槽中的所述P型功函数金属层；在所述半导体衬底上依次形成N型功函数金属层和金属栅极层。