[发明专利]一种采用倒装蓝光芯片封装的LED集成光源在审
| 申请号： | 201410006132.5 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104766916A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨人毅 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/02;H01L33/58;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用倒装蓝光芯片封装的LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层，所述LED芯片阵列倒置，即LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N-GaN层、MQWs层、P-GaN层、金属反射层；N电极与P电极分别焊接在所述MCPCB基板上。采用倒装GaN LED芯片制作的LED集成光源，能够获取比水平结构GaN LED芯片和垂直结构GaN LED芯片制作的LED集成光源更高的光效和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 倒装 芯片 封装 led 集成 光源 | ||
【主权项】：
一种采用倒装蓝光芯片封装的LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层，其特征在于：所述LED芯片阵列倒置，即LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N‑GaN层、MQWs层、P‑GaN层、金属反射层；N电极与P电极分别焊接在所述MCPCB基板上。
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