[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410006596.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104425464A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 尾山幸史;向田秀子;福田昌利;筑山慧至;深山真哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可抑制由半导体芯片的变形导致的连接凸起的畸变的半导体装置。半导体装置具备：第1半导体芯片，其具有第1主面和与第1主面相对向并设有第2电极的第2主面；第2半导体芯片，其具有设有与第2电极连接的第3电极的第3主面和与第3主面相对向的第4主面；第1隔片，其在第2、第3电极和第1、第2半导体芯片的外周面之间的区域配置，确保第1半导体芯片和第2半导体芯片的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体芯片，其具有第1主面和与上述第1主面对向并设有第2电极的第2主面；第2半导体芯片，其具有设有与上述第2电极连接的第3电极的第3主面和与上述第3主面对向的第4主面；和第1隔片，其在上述第2、第3电极和上述第1、第2半导体芯片的外周面之间的区域配置，确保上述第1半导体芯片和上述第2半导体芯片的间隙。
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