[发明专利]晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法有效
| 申请号： | 201410007099.8 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104766808B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率，并根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，进而结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式，再根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，如此通过结合不同种类芯片信息对缺陷密度评估方式进行修正以提升评估准确性，从而增加合格品产量，提升利润。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 密度 获得 方法 测试 半导体 装置 形成 | ||
【主权项】：
一种晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，包括：获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率；根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，所述致命缺陷率系数为所述各导电层的致命缺陷率之和；结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式；根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，所述致命缺陷率系数记为C，所述修正缺陷密度计算公式为：或者，其中，WaferYield为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的面积；FD0是修正后缺陷密度，计算公式为FD0＝D0+0.0001×GDPW‑0.08，其中，D0为缺陷密度，单位是缺陷个数/每平方英寸，GDPW是所述有效芯片总数缺陷密度；N为工艺复杂度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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