[发明专利]晶片级自形成纳米通道及其制造方法

摘要

本发明涉及晶片级自形成纳米通道及其制造方法。提供了一种制造纳米器件的纳米通道的机制。在衬底上沉积绝缘膜。在所述膜上构图纳米线。在所述纳米线和膜上沉积绝缘材料。在所述绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞在所述纳米线的第一末端上方从而暴露所述第一末端。形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方从而暴露所述第二末端。通过所述第一和第二孔洞中的蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，纳米通道连接所述第一和第二孔洞。在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使其在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接。在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使其在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。

主权项

一种制造纳米器件的纳米通道的方法，该方法包括：在衬底上沉积电绝缘膜；在所述电绝缘膜上构图纳米线；在所述纳米线和所述电绝缘膜上沉积电绝缘材料；在所述电绝缘材料中形成第一圆形孔洞作为入口，所述第一圆形孔洞形成在所述纳米线的第一末端上方，所述第一圆形孔洞暴露所述第一末端；形成第二圆形孔洞作为出口，所述第二圆形孔洞形成在所述纳米线的与所述第一末端相对的第二末端上方，所述第二圆形孔洞暴露所述第二末端；通过在所述第一圆形孔洞中流入并且从所述第二圆形孔洞中流出蚀刻剂蚀刻掉所述纳米线，形成将所述第一圆形孔洞连接到所述第二圆形孔洞的纳米通道；在所述第一圆形孔洞上附着第一储存器使所述第一储存器在所述第一末端原先的位置处与所述纳米通道连接；以及在所述第二圆形孔洞上附着第二储存器使所述第二储存器在所述第二末端原先的位置处与所述纳米通道连接。