[发明专利]一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜和该薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410007865.0 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN103788550A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 胡宁;吴良科;宁慧铭 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K3/04;C08J5/18;B29C69/00;B29C41/12;B29C55/02;B29L7/00
代理公司: 重庆大学专利中心 50201 代理人: 唐开平
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种PVDF-HFP/CB压电复合材料薄膜和该薄膜的制备方法。该压电复合材料薄膜包括PVDF-HFP和炭黑颗粒,在PVDF-HFP基体中添加质量百分比为0.05%~0.8%的炭黑颗粒。其制备方法为:1、将炭黑颗粒与溶剂混合搅拌制成悬浊液,再加入PVDF-HFP经搅拌制得PVDF-HFP溶液,使混合物充分混合;2、将混合溶液在行星搅拌器中再搅拌10分钟以上,脱泡2分钟以上;3、将溶液倒在热铝板上,加热,将溶剂去除,得到初结晶后的薄膜;4、在万能试验机中将薄膜在55℃~65℃左右进行拉伸;5、对薄膜进行分步极化。本发明的优点是压电性能指标比纯PVDF-HFP有明显增加,当CB质量百分比为0.5%时,标准开环电压比纯PVDF-HFP时增加了1倍左右,交流输出功率提高了3.6倍,直流输出功率提高了4.6倍。
搜索关键词: 一种 pvdf hfp cb 压电 复合材料 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种PVDF‑HFP/CB压电复合材料薄膜,其特征是:包括PVDF‑HFP和炭黑颗粒,PVDF‑HFP基体中添加质量百分比为0.05 % ~0.8 %的炭黑颗粒。
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