[发明专利]由悬空硅进行电介质隔离的FINFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201410009330.7 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103915501B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;B·S·哈伦;S·波诺斯;T·E·斯坦达耶尔特;T·亚马施塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 进行 电介质 隔离 finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FINFET中的半导体结构，包括：半导体衬底；绝缘体层，置于所述半导体衬底之上；多个半导体鳍，置于所述绝缘体层上；以及多个嵌入式间隔物，置于与各个鳍相邻的所述绝缘体层中，其中，绝缘体层在直接位于所述多个半导体鳍中的各个鳍下的鳍下区域中具有第一厚度，在位于所述多个半导体鳍中的各个鳍之间的鳍间区域中具有第二厚度，其中，第一厚度大于第二厚度；其中，在鳍下区域中的绝缘体层延伸到鳍间区域中的绝缘体层之上；其中，在鳍下区域中的绝缘体层延伸到鳍间区域中的绝缘体层之下；其中，所述绝缘体层由仅一个沉积处理所形成的一种材料构成。
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