[发明专利]一种使用脉冲激光法制备AlSb薄膜太阳电池的技术

摘要

本发明属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。常温下，AlSb的带隙为1.62eV，很适合作为薄膜太阳电池的吸收层，其理论转换效率高达28%以上。Al和Sb的自然资源丰富，在生产和使用过程中无毒。因此，AlSb基太阳电池具有良好的应用前景。然而，当AlSb薄膜直接暴露在空气中时，非常容易自潮解。故迄今为止，尚未见报道有光电转换效率的AlSb薄膜太阳电池。本发明旨在使用248nmKrF气体脉冲激光轰击计算机控制转靶的多种化合物材料及电极材料靶材，在衬底上依次沉积多层无组分偏析的晶态薄膜，当生成AlSb薄膜后随即覆盖上背接触层，遂即隔断了自潮解发生，最后沉积上背电极，制备完成AlSb基薄膜太阳电池。

主权项

本专利的特征是利用脉冲激光沉积（PLD）技术，制备新型AlSb基薄膜太阳电池的新技术，包括：新型AlSb基薄膜太阳电池的结构；新型AlSb基薄膜太阳电池的PLD技术制备细节。