[发明专利]薄膜晶体管电气特性测量方法有效
| 申请号： | 201410010137.5 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104778908B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 彭军;李原欣;董杭;左文霞 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00;G01R31/27 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜怡;阚梓瑄 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管电气特性测量方法，包括：用激光对显示器面板中邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线和邻近待测像素中薄膜晶体管栅极的栅线进行切割；用第一测试元件组探针和第二测试元件组探针分别扎入所述数据线和所述栅线的切开截面，并用第三测试元件组探针扎入所述待测像素中薄膜晶体管的漏极；通过向所述第一测试元件组探针、所述第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性。采用本申请提供的测量方法，能够准确呈现面板中像素内TFT的电气特性，而且，能够准确定位薄膜晶体管本身的异常。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 电气 特性 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管电气特性测量方法，其特征在于，包括：用激光对显示器面板中邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线和邻近待测像素中的薄膜晶体管栅极的栅线进行切割，所述待测像素是可能出现亮点的像素；用第一测试元件组探针和第二测试元件组探针分别扎入所述数据线和所述栅线的切开截面，并用第三测试元件组探针扎入所述待测像素中薄膜晶体管的漏极；通过向所述第一测试元件组探针、所述第二测试元件组探针或所述第三测试元件组探针施加所需电压，来测量所述薄膜晶体管的电气特性；所述邻近待测像素中的薄膜晶体管源极的数据线是位于所述待测像素中的与所述薄膜晶体管的源极连接的数据线的一部分；所述邻近待测像素中的薄膜晶体管栅极的栅线是位于所述待测像素中的与所述薄膜晶体管的栅极连接的栅线的一部分。
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