[发明专利]场效应管的制造方法在审
| 申请号： | 201410010201.X | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779158A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应管的制造方法，包括：在形成有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶，形成第一胶层；在所述第一胶层上形成截止环；对所述第一胶层进行第一次干法去除；间隔设定时间后，再对所述第一胶层进行第二次干法去除；在所述初始氧化层上形成终端环。本发明提供的场效应管的制造方法能够解决现有的制造方法使得平面场效应管的耐压能力较差的问题，以提高平面场效应管的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有源区的初始氧化层表面涂覆第一光刻胶，形成第一胶层；在所述第一胶层上形成截止环；对所述第一胶层进行第一次干法去除；间隔设定时间后，再对所述第一胶层进行第二次干法去除；在所述初始氧化层上形成终端环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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