[发明专利]一种多孔硅模板的制备方法无效
申请号: | 201410011017.7 | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN103746038A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 黄其煜;郑一胄 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 牛山;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种多孔硅模板的制备方法;所述方法包括如下步骤:步骤一,取HF、H2O2、去离子水,充分混合,得刻蚀液;步骤二,无光照条件下,将硅衬底放入所述刻蚀液中,之后放在热板上保持恒温,浸泡;步骤三,将硅衬底取出,用去离子水反复冲洗,吹干,即可得到多孔硅模板。本发明采用金属催化刻蚀(MCE)的方法,制备倒金字塔形或圆形开口的多孔硅模板,其方法成本低,不需要昂贵的设备。本发明方法得到的多孔硅模板具有较好的表面形貌和减反射效果。在常温下不加电流的情况下制备多孔硅模板,通过控制反应时间可以控制图形的大小,有比较大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 模板 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔硅模板的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:步骤一,取HF、H2O2、去离子水,充分混合,得刻蚀液;步骤二,无光照条件下,将硅衬底放入所述刻蚀液中,之后放在热板上保持恒温,浸泡;步骤三,将硅衬底取出,用去离子水反复冲洗,吹干,即可得到多孔硅模板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的