[发明专利]室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，工艺步骤如下，将柔性衬底放入磁控溅射装置里，并对进样室和溅射室抽真空；将柔性衬底送到溅射室的转盘上，再将溅射室的真空度抽至1×10^-4Pa；室温下，通入氩气和氢气的混合气体，直到压强达到1.0～1.5Pa，开启射频电源，调节溅射功率，待AZO陶瓷靶起辉后，预溅射；设置好各项参数；达到溅射时间后，关闭射频电源，关闭气体，抽出剩余气体。该方法无需对柔性衬底进行加热，不仅降低生产成本、简化生产工艺，而且极大地提高了AZO薄膜的导电率，使得柔性衬底上制得的AZO透明导电薄膜的生产和使用得到进一步推广，具有巨大的工业价值。

主权项

室温下柔性衬底上制备高性能AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下工艺步骤，a、以柔性衬底为基板，将柔性衬底清洗干净，放入磁控溅射装置的托架里，并对进样室和溅射室抽真空，直到进样室真空度为3×10^‑3Pa，溅射室的真空度为1×10^‑3Pa；b、打开进样室和溅射室之间的空气锁夹板，将柔性衬底送到溅射室的转盘上，再关闭进样室与溅射室之间的空气锁夹板，将溅射室的真空度抽至1×10^‑4Pa；c、室温下，通入氩气和氢气的混合气体，直到压强达到1.0～1.5Pa，开启射频电源，调节溅射功率，待AZO陶瓷靶起辉后，调节压强，预溅射5～15分钟；d、调整AZO陶瓷靶与柔性衬底之间的距离，继续通入氩气和氢气的混合气体，同时开始计时；e、达到溅射时间后，关闭射频电源，关闭气体，抽出剩余气体，即完成AZO透明导电薄膜的制备。