[发明专利]掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的正面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的上表面上；P型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在P型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的下表面上。本发明不仅能够保持较好的钝化效果，从而获得高开路电压，而且可以降低太阳能电池的整体串联电阻，进而提高填充因子，提高太阳能电池的转换效率。

主权项

一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：一P型晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面；一N型掺氢晶化硅层（2），沉积在P型晶体硅衬底（1）的正面上；一重掺杂N型非晶硅层（3），沉积在N型掺氢晶化硅层（2）的上表面上；一正面透明导电膜层（4），沉积在重掺杂N型非晶硅层（3）的上表面上；一正面电极层（5），位于正面透明导电膜层（4）的上表面上，并且通过该正面透明导电膜层（4）与重掺杂N型非晶硅层（3）电性连接；一P型掺氢晶化硅层（6），沉积在P型晶体硅衬底（1）的背面上；一重掺杂P型非晶硅层（7），沉积在P型掺氢晶化硅层（6）的下表面上；一背面透明导电膜层（8），沉积在重掺杂P型非晶硅层（7）的下表面上；一背面电极层（9），位于背面透明导电膜层（8）的下表面上，并且通过该背面透明导电膜层（8）与重掺杂P型非晶硅层（7）电性连接。