[发明专利]闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201410012363.7 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103928055B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 金经纶;尹翔镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作闪速存储器的方法，所述方法包括：对具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，其中，所述第一相邻阈值电压范围由用于区分相邻位于的第一对阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压所限定；对具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，其中，所述第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压所限定；基于具有包括在第一相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量和具有包括在第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的计数数量之间的计数差，来设置第一最佳读取电压，其中，第一参考读取电压是为了识别相邻的阈值电压分布的初始状态而选择的初始读取电压。
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