[发明专利]暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201410013097.X | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103774233A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨合情;刘彬;赵桦 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/62;C30B7/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备出暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 高能 111 立方 结构 cu sub se 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，其特征在于：将一水合醋酸铜、Se粉、NaOH、溶剂加入聚四氟乙烯内衬中，搅拌均匀后置于反应釜中，160～220℃反应6～24小时，制备成暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线；上述的一水合醋酸铜与Se粉、NaOH的摩尔比为1～2:1:50～70，一水合醋酸铜与溶剂的质量‑体积比1～2g:250mL，溶剂的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%～60%，所述的溶剂是丙三醇与乙醇的体积比为0:1～0.67:1的混合液。
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