[发明专利]多位存储单元非易失性存储器的写入方法及系统在审
| 申请号： | 201410013953.1 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104715796A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘伯彦;张哲玮 | 申请（专利权）人： | 擎泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;吴立 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种写入填充数据至多位存储单元非易失性存储器的系统及方法，在将主机数据写入至多位存储单元非易失性存储器时，以填充数据写入至少一个较低有效位（LSB）页。对于写入命令，写入有主机数据的每一LSB页所对应的较高有效位（MSB）页也写入有主机数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 非易失性存储器 写入 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种将填充数据写入至多位存储单元非易失性存储器的方法，包括：接收写入命令及其主机数据；以及在将所述主机数据写入至所述多位存储单元非易失性存储器时，以所述填充数据写入至少一个较低有效位LSB页；其中，对于所述写入命令，写入有所述主机数据的每一所述LSB页所对应的较高有效位MSB页也写入有所述主机数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于擎泰科技股份有限公司;，未经擎泰科技股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410013953.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：散射X线除去用滤波栅的制造方法
- 下一篇：多功能优盘
