[发明专利]一种快速测量多晶硅中微量硼杂质的方法有效
申请号: | 201410014232.2 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103760218A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 王晓艳;杨凤炳;李伟生;龚炳生 | 申请(专利权)人: | 福建兴朝阳硅材料股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62;G01N1/28 |
代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人: | 另婧 |
地址: | 364211 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种快速测量多晶硅中微量硼杂质的方法。包括:称取多晶硅样品试样;向试样中加入甘露醇溶液;再向试样中加入碳酸钾溶液;然后加入氢氟酸,再缓慢滴入硝酸进行酸化溶解;待试样溶解后,加热至白烟冒尽,停止加热;向试样中加入盐酸浸泡,再用少量的纯水稀释,冷却;待冷却后,向溶液中加入甲醇,摇匀,定容;定容后,用氨水和纯水分别冲洗ICP-MS;待ICP-MS冲洗完成,将定容后的溶液试样采用ICP-MS检测,即可精确测量出样品的硼含量。本方法工艺简单,成本低,测量精确、能快速测量多晶硅中硼的含量。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 测量 多晶 微量 杂质 方法 | ||
【主权项】:
一种快速测量多晶硅中微量硼杂质的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)称取多晶硅样品作为试样;2)向上述试样中加入络合剂甘露醇溶液;3)向上述已加入络合剂的试样中加入K2CO3溶液,形成第一溶液试样;4)向上述第一溶液试样中加入氢氟酸,再缓慢滴入硝酸,用于溶解第一溶液试样;5)待上述第一溶液试样溶解完后,将所得溶液移到加热板上加热;6)待步骤5)溶液加热至白烟冒尽后,停止加热,并向试样中加入盐酸浸泡后,用少量的纯水稀释,冷却,形成第二试样溶液;7)向上述步骤6)所得第二试样溶液中加入适量的甲醇,并摇匀,再用纯水定容,形成第三试样溶液;8)先用氨水冲洗ICP‑MS,再用纯水冲洗;9)待ICP‑MS冲洗完,将步骤7)所得的第三试样溶液采用ICP‑MS检测,即得到步骤1)所述试样中硼的含量。
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