[发明专利]底部防反射层形成方法有效
| 申请号： | 201410014457.8 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104779178B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 邹永祥;王鹢奇;杨晓松;王跃刚;易旭东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。 | ||
| 搜索关键词： | 底部 反射层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种底部防反射层形成方法，其特征在于，包括：S1：向晶圆表面滴底部防反射层；S2：旋转所述晶圆3～8秒；S3：在所述底部防反射层还未固化时，向所述晶圆边缘滴洗边液，同时旋转所述晶圆13～18秒。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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