[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201410015627.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103972289A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徳田悟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。在第一凹部（栅极沟槽）的底表面以及侧表面的下部形成第一下部绝缘膜，并且其比栅极绝缘膜厚。第一下部绝缘膜的上端连接到栅极绝缘膜的下端。在第二凹部（终止沟槽）的底表面以及侧表面的下部上形成第二下部绝缘膜。在第二凹部的侧表面的上部处形成上部绝缘膜，并且下端连接到第二下部绝缘膜的上端。第二凹部的深度大于或等于第一凹部深度的90%并且小于或等于其110%。第二下部绝缘膜的厚度大于或等于第一下部绝缘膜厚度的95%并且小于或等于其105%。上部绝缘膜比栅极绝缘膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：在层压的衬底的第一表面中形成第一凹部和围绕第一凹部的第二凹部，并且用保护膜覆盖第一凹部的侧表面的上部和层压的衬底的第一表面，其中第一导电类型的半导体衬底和具有比该半导体衬底低的杂质浓度的第一导电类型的半导体层层压在该层压的衬底中；通过以保护膜作为掩膜来热氧化第一凹部和第二凹部，形成位于第一凹部的侧表面的下部和底表面处的第一绝缘膜和位于第二凹部的侧表面和底表面上的第二绝缘膜；去除保护膜；通过热氧化第一凹部，在第一凹部的侧表面的上部处形成比第一绝缘膜和第二绝缘膜薄的栅极绝缘膜；以及在第一凹部中嵌入栅极电极并且还在第二凹部中形成嵌入电极。
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