[发明专利]一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片有效
| 申请号： | 201410016410.5 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779155B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈兆同;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片，包括利用氢氟酸清洗硅片；利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。本发明提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 界面 处理 方法 用于 硅片 | ||
【主权项】：
一种硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，包括：利用氢氟酸清洗硅片；利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；氧化所述清洁的硅片表面，生成一层1nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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