[发明专利]相变存储单元的制备方法有效
| 申请号： | 201410016750.8 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104779346B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;吴扬;李群庆;姜开利;王佳平;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储单元的制备方法，包括在一基底一表面设置至少一碳纳米管线，所述碳纳米管线的轴向平行于所述基底的表面；弯折所述至少一碳纳米管线，形成一弯折部；设置一第一电极、第二电极及一第三电极，所述第一电极、第二电极分别设置于所述弯折部的两侧且与所述碳纳米管线电连接，所述第三电极与所述碳纳米管线的弯折部间隔设置；以及沉积一相变层至少部分覆盖所述弯折部，并且与所述第三电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元的制备方法，包括：在一基底一表面设置一碳纳米管线，所述碳纳米管线的轴向平行于所述基底的表面；将所述碳纳米管线弯折形成一弯折部；设置一第一电极、第二电极及一第三电极，所述第一电极、第二电极分别与所述碳纳米管线的两端电连接，所述第三电极与所述碳纳米管线的弯折部间隔设置；以及沉积一相变层至少部分覆盖所述弯折部，并且与所述第三电极电连接。
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