[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410017352.8 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104779163B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在体半导体衬底的第一侧上形成鳍；在衬底的第一侧上形成隔离层；在隔离层上形成与鳍相交的栅堆叠；在衬底的第一侧上继续前端工艺及后端工艺；从衬底的与第一侧相对的第二侧，减薄衬底；进行氧化，使得鳍埋入隔离层中的至少一部分以及隔离层之下的衬底转变为绝缘的氧化物；以及在氧化后的衬底的第二侧上形成支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在体半导体衬底的第一侧上形成鳍；在衬底的第一侧上形成隔离层；在隔离层上形成与鳍相交的栅堆叠；在衬底的第一侧上继续前端工艺及后端工艺；从衬底的与第一侧相对的第二侧，减薄衬底；进行氧化，使得鳍埋入隔离层中的至少一部分以及隔离层之下的衬底转变为绝缘的氧化物；以及在氧化后的衬底的第二侧上形成支撑衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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