[发明专利]一种操作多位存储单元的方法有效

专利信息
申请号: 201410018267.3 申请日: 2014-01-15
公开(公告)号: CN103928042B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 洪硕男;吕函庭;陈弟文;黄世麟;张国彬;谢志昌;洪俊雄;李永骏 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G06F12/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种操作多位存储单元的方法,该方法对具有多位的存储单元的存储器,一次施加一个单脉冲序列或于单通道内。例如,利用具有对多目标编程位阶的编程验证步骤的一递增脉冲编程序列,对多个具有多位的存储单元进行编程。通过这些技术,所需的编程脉冲的数量,以及编程数据所需花费的时间均可减少。连带的,编程的速度可获得改善,且干扰的情形也将改善。针对不同类型的存储单元、存储器架构、编程速度与数据储存密度,可搭配各种单通道多位阶编程的操作。
搜索关键词: 一种 操作 存储 单元 方法
【主权项】:
一种操作多位存储单元的方法,包含以下步骤:为编程多个多位阶存储单元而储存一数据集,该数据集代表各存储单元为多个编程状态之一,或为一禁止状态,其中该多个编程状态是对应于该多个多位阶存储单元的多个目标编程位阶;以及对该多个多位阶存储单元执行多个编程周期,其中该多个编程周期之一包含:对于在该多个编程状态的多个多位阶存储单元,施加一编程偏压;在施加该编程偏压后,利用该多个编程状态中的多个编程状态,对一部分的该多个多位阶存储单元施加多个编程验证步骤,使其由该多个编程状态变化为该禁止状态,其中该部分的该多个多位阶存储单元是透过在一指示编程状态的目标编程位阶;其中,该多位存储单元包含多层叠层式的多位阶存储单元,以及包含将该多个多位阶存储单元区分为多个存储单元群组,其中一第一存储单元群组包含一第一个存储单元层的群组,且一第二存储单元群组包含一第二个存储单元层的群组,以及其中于执行该多个编程周期时,包含:在该第二存储单元群组的该多个多位阶存储单元为该禁止状态时,对该第一存储单元群组内的该多个多位阶存储单元施加一第一编程周期的序列,以及在该第一存储单元群组的该多个多位阶存储单元为该禁止状态时,对该第二存储单元群组内的该多个多位阶存储单元施加一第二编程周期的序列;其中该多个存储单元群组包含至少三个存储单元群组,且各该存储单元群组内的位线是被其两个存储单元群组的至少其他两根位线所分开。
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