[发明专利]使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法有效
申请号: | 201410018415.1 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103943147B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | J·S·朝伊 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法。擦除具有位单元的阵列的非易失性存储器(NVM)包括在所述位单元的初始擦除之后进行软编程。过擦除的位单元被确定。温度被检测。基于所述温度的第一软编程栅电压被提供。使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元进行软编程被执行。任何剩余的过擦除的位单元被确定。如果有任何剩余的过擦除的位单元,使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。 | ||
搜索关键词: | 使用 温度传感器 自适应 编程 非易失 存储器 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对具有位单元的阵列的非易失性存储器(NVM)进行软编程的方法,其中所述软编程发生于擦除所述位单元之后,所述方法包括:确定过擦除的位单元;检测温度;基于所述温度提供第一软编程栅电压;使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元执行软编程;识别任何剩余的过擦除的位单元;如果有任何剩余的过擦除的位单元,使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。
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