[发明专利]双Finfet晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双Finfet晶体管，包括一衬底晶圆；设置于所述衬底晶圆上方的绝缘层；贯穿所述绝缘层覆盖所述衬底晶圆上表面的一背栅偏置结构和一栅极结构，设置于所述背栅偏置结构表面及空隙处的第一氧化层，设置于所述栅极结构表面的第二氧化层；设置于所述绝缘层上方及所述第一氧化层、第二氧化层外表面的栅极。本发明还提供了该双Finfet晶体管的制备方法，采用本发明的技术方案，能够准确控制Fin沟道的宽度，改善沟道至衬底之间的漏电流，满足器件和电路的性能和功耗要求，且制造工艺简单，同时避免使用昂贵的SOI晶圆，降低了生产成本。

主权项

一种双Finfet晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一衬底晶圆，于所述衬底晶圆上方形成顶部分别具有辅助层的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构均包括衬底层、选择性刻蚀层和Fin沟道层，所述衬底层连接所述衬底晶圆；S2，于所述衬底晶圆上方制备绝缘材料层，刻蚀所述绝缘材料层直到暴露出所述第一栅极结构和第二栅极结构的一部分衬底层，去除所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部的辅助层；S3，刻蚀第一栅极结构的选择性刻蚀层，形成一背栅偏置结构，对所述背栅偏置结构和第二栅极结构进行氧化，分别形成第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层可直接充当栅氧化层；S4，于所述步骤S3形成的结构上方形成栅极。