[发明专利]一种大面积转移CVD石墨烯膜的方法有效
申请号: | 201410018825.6 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103833030A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 黄长水;张圣亮;崔光磊;张传健;逄淑平;韩鹏献 | 申请(专利权)人: | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;B32B9/04;B32B27/00 |
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地址: | 266101 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及新型碳材料领域,公开了一种大面积转移石墨烯膜的方法。该方法针对化学气相沉积法在金属箔上制备的大面积石墨烯,利用热辊压方法直接将石墨烯从金属箔上转移到高分子膜上,包含两种转移方式:1)在石墨烯/金属箔表面辊压一层高分子膜,采用辊压卷绕,将高分子膜/石墨烯复合层从金属箔基底转移出;2)直接将高分子膜热辊压到辊轴上,然后将石墨烯转移到高分子膜包覆的辊轴上。该方法实现了大面积石墨烯膜的转移,与现有的转移方法相比,降低转移过程对石墨烯的污染,可循环利用金属箔基底,大幅度降低成本,减少污染排放,节能减排。因此本发明在大规模制备转移石墨烯的生产领域中具有较大的应用价值。 | ||
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【主权项】:
一种大面积转移CVD石墨烯膜的方法,包括以下步骤:a. 利用CVD的方法在金属箔基底上制备石墨烯膜;b. 在长有石墨烯膜的金属箔基底的两个表面热辊压一层高分子膜,将高分子膜/石墨烯复合膜前段卷缠在辊轴上,用于下一步的卷绕;采用辊压的方式将附有高分子膜的石墨烯层通过气体的辅助从金属箔基底上剥离下来;或者先将高分子膜热辊压到两个辊轴的表面,然后将长有石墨烯膜的金属箔基底热辊压到附有高分子膜的辊轴上,在一定压力和温度的条件下,通过高分子膜与石墨烯的相互作用,采用辊轴卷绕,实现石墨烯层与金属箔基底的分离;c. 得到转移到高分子膜上的石墨烯复合膜或者单一的石墨烯膜。
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