[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
申请号: | 201410019338.1 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103924220B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 加藤寿;中坪敏行;三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤输入步骤,使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域,将基板依次载置到基板载置部;成膜步骤,反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环,而在基板表面上形成薄膜;改性步骤,对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性;以及输出步骤,接着改性步骤,将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域,并将所配置的基板依次输出。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,用于对基板进行成膜,其中,该成膜方法包括以下步骤:输入步骤,其使沿圆周方向具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个上述基板载置部依次配置于输入输出区域,并将基板依次载置于所配置的上述基板载置部;成膜步骤,反复多次进行通过使上述旋转台旋转而使上述基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替向基板表面供给的循环,而在基板上层叠上述反应气体的反应生成物,从而在基板表面上形成薄膜;改性步骤,对通过使上述旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与上述输入输出区域相邻的加热区域中的基板分别加热,对上述薄膜进行改性;以及输出步骤,接着改性步骤,通过间歇性地旋转上述旋转台,将在上述改性步骤中改性了上述薄膜的基板依次配置在上述输入输出区域,并将所配置的基板依次输出,其中,在上述改性步骤中,对上述多个基板中的一个基板进行加热而进行改性,接着旋转上述旋转台而将与上述一个基板相邻的另一个基板配置于上述加热区域,接着对所配置的上述另一个基板进行改性,在上述输出步骤中,在利用上述改性步骤对上述另一个基板进行改性的期间,将在该改性步骤中改性了的上述一个基板输出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的