[发明专利]太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法有效
申请号: | 201410019509.0 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103700733A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 王栋良;包健;郭万武;陆中丹;罗彬 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法,该方法的步骤如下:用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底,然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液,完成后再用去离子水冲洗衬底;接着将衬底浸泡于含有2%氯化氢和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;接着将衬底浸渍在配比为1:1:6、温度为60℃~80℃的氯化氢:过氧化氢:水的混合液中洗涤10~15min,之后再用去离子水冲洗,然后将衬底表面烘干待用;接着将干燥的衬底进行刻蚀处理,然后再用去离子水冲洗;本发明方法能够提高衬底表面的洁净度,使其平整光滑,从而改善制备的太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子,提升电池光电转换性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 晶体 衬底 清洗 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法,其特征在于该方法的步骤如下:(1)用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底,然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液中5~15min,并保证温度80~100℃,完成后再用去离子水冲洗衬底;其中,浓硫酸和过氧化氢的配比为1:1~1:4;(2)接着将衬底浸泡于含有2%氯化氢和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;(3)接着将衬底浸渍在配比为1:1:6、温度为60℃~80℃的氯化氢:过氧化氢:水的混合液中洗涤10~15min,之后再用去离子水冲洗,然后将衬底表面烘干待用;(4)接着将干燥的衬底进行刻蚀处理,然后再用去离子水冲洗;(5)接着将衬底浸泡在含有2%氯化氢和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;(6)接着在60℃~80℃条件下,使用配比为1:1:4的一水合氨:过氧化氢:水的混合液对衬底预清洗处理;(7)接着将衬底浸泡在含有48%氟化铵和1%氢氟酸的混合溶液中1~3min,之后再用去离子水冲洗干净;(8)接着在50℃条件下,使用配比为1:5的过氧化氢:水的溶液中对衬底进行原子级粗糙度调整,时间为0.5~2min,并且过氧化氢:水的溶液中含有2%的氢氟酸;(9)接着在60℃~80℃条件下,将衬底浸泡在配比为1:1:5的一水合氨:过氧化氢:水混合液中10~15min,之后再用去离子水冲洗干净;(10)接着将衬底浸泡在含有2%~5%氢氟酸的溶液中2~3min,之后再用去离子水冲洗干净;(11)接着将衬底转移至循环热水中,并保证水浴温度为80~100℃,时间为2~3小时,完成后吹干即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的