[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法有效
| 申请号： | 201410019521.1 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103928408B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 哈特姆特·库拉斯 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/049 | 分类号： | H01L23/049;H01L23/48;H01L23/36;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 邹璐,安翔 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法。功率半导体模块具有基板（2）和布置在基板（2）上且与基板（2）连接的功率半导体结构元件（13），其中，功率半导体模块（1）具有一体式构造的导电的连接装置（9），其中，连接装置（9）具有扁平的第一联接区域（19）和扁平的第二联接区域（20）以及布置在第一联接区域（19）与第二联接区域（20）之间的弹性区域（15），其中，弹性区域（15）具有呈条状的第一成型元件（17）和第二成型元件（18），这些成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置，其中，第一联接区域（19）与基板（2）连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
功率半导体模块，其具有基板(2)和布置在所述基板(2)上且与所述基板(2)连接的功率半导体结构元件(13)，其中，所述功率半导体模块(1)具有一体式构造的导电的连接装置(9)，其中，所述连接装置(9)具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)以及布置在所述第一联接区域(19)与所述第二联接区域(20)之间的弹性区域(15)，其中，所述弹性区域(15)具有呈条状的第一和第二成型元件(17、18)，所述成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置，其中，所述第一联接区域(19)与所述基板(2)连接，所述连接装置(9)将所述基板(2)与导电的负载电流引导元件(10)导电地连接，其中，所述第二联接区域(20)与所述负载电流引导元件(10)连接。
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